高频系列电源在电镀中的作用
1.降低孔隙率,晶核的形成速度大于成长速度,促使晶核细化。
2.改善结合力,使钝化膜击穿,有利于基体与镀层之间牢固的结合。
3.改善覆盖能力和分散能力,高的阴极负电位使普通电镀中钝化的部位也
能沉积,减缓形态复杂零件的突出部位由于沉积离子过度消耗而带来的“烧焦”“树枝状”沉积的缺陷,对于获得一个给定特性镀层(如颜色、无孔隙等)的厚度可减少到原来1/3~1/2,节省原材料。
4.降低镀层的内应力,改善晶格缺陷、杂质、空洞、瘤子等,容易得到无裂纹的镀层,减少添加剂。
5.有利于获得成份稳定的合金镀层。
6.改善阳极的溶解,不需阳极活化剂。
7.改进镀层的机械物理性能,如提高密度降低表面电阻和体电阻,提高韧性、耐磨性、抗蚀性而且可以控制镀层硬度。
8.传统的电镀抑制副作用的产生、改善电流分布、调节液相传质过程、控制结晶取向显得毫无作用,面对络合剂和添加剂的研究成了电镀工艺研究的主要方向。纳米开关电源解决了传统电镀整流器存在的缺陷。
　igbt的驱动电路是igbt与控制电路之间的接口，实现对控制信号的隔离、放大和保护，驱动电路对igbt的正常工作及其保护起着非常重要的作用，门极电路的正偏压ugs，负偏压-ugs和门极电阻rc的大小，对igbt的通态电压、开关、开关损耗、承受短路能力参数有不同的程度的影响，因此驱动电路设计对igbt的动态和静态性能都有重要影响，对驱动电路提出以下要求：
动态驱动能力强，能为栅极驱动电压脉冲提供充分大上升率和下降率，以减小开通和关断损耗。但是，由于主电路中存在分布电感及滤波电容的串联电感，随着igbt的高速开通与关断将在电路中产生高频幅值很高而宽度很窄的尖峰电压ldi/dt，该尖峰电压应用常规的过电压吸收电路是吸收不掉的，因而有可能造成igbt自身或电路中其他元件过电压击穿而损坏。所以，主电路应尽可能使用短引线或双绞线降低分布电感的影响，而且igbt开关时间也不能过短，其值应根据所有元件及igbt自身的承受du/dt的能力综合考虑。
高频igbt厂家借助双极传输理论导出了高速绝缘栅双极晶体管（ｉｇｂｔ）传输特性的物理模型。稳态时，其工作原理与普通ｉｇｂｔ完全相同，但瞬态时，由于ｎ＋阳极对基区非平衡载流子的抽出作用，使其关断速度比普通ｉｇｂｔ大大提高。文中利用二维器件数值分析软件（ｐｉｓｃｅｓ－ｉｂ）对其稳态和瞬态工作特性进行了详细的模拟分析，获得了其工作时的浓度分布、电流分布等内部物理参数，并得到了它的关断时间ｔｏｆ，其模拟结果与实验值比较吻合

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